图四、大兴太阳能适应PVCD的工作原理（a）太阳能适应PVCD的充电状态和放电状态电路图。
In2S3-CdS复合缓冲层的最佳性能器件实现了9.19%的PCE(VOC 461mV)，国际而单个In2S3纳米片缓冲层的器件PCE为3.41%(302mV)，单个CdS缓冲层的器件PCE为7.39%(405mV)。该器件具有1.1~1.3eV的带隙，氢能区起可见光区吸收系数为105 cm−1，载流子迁移率高，器件稳定性好。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，示范投稿邮箱[email protected]。步区北区图3Sb2Se3/In2S3-CdS核/壳纳米棒的形貌表征a)Sb2Se3/In2S3核/壳纳米棒阵列的SEM。建成b–e)In2S3-CdS复合材料：b)C5。
因此，投运基于In2S3-CdS复合缓冲层的Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的效率高达9.19%，VOC为461mV。大兴f,g)Sb2Se3太阳能电池的归一化对数电流衰减f)和光电压衰减g)。
因此，国际控制Sb2Se3晶粒的晶体取向对吸收层的质量和太阳能电池的器件性能非常关键。
图5 In2S3-CdS复合层(C7)的XPS和UPS分析a)C7在不同蚀刻时间（0、氢能区起125、250、375、500和600s）下的In3d、Cd3d和S2p的XPS光谱。根据乐视致新梁军此前介绍，示范作为乐视生态中的最优资产，乐视致新将在2017年实现扭亏为盈，并在2018年-2019年实现盈利到大规模盈利。
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